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PEA   SRD | Marché : Eurolist compartiment B | Secteur : Semi-conducteurs | Dernière cotation : le 01/12/2008 à 17:35  
SOITEC : Déjà 35 publications et 40 brevets pour NanoSmart
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Vendredi 08 Février 2008 à 15:25
(Tradingsat.com) - Soitec a fait le point vendredi sur les premières avancées de son grand programme de recherche NanoSmart.

Ce programme repose sur la technologie brevetée de transfert de couches de Soitec (Smart Cut™), NanoSmart. Il est financé par OSEO Innovation (anciennement Agence de l'innovation industrielle).

Soitec indique avoir publié à ce jour, en collaboration avec le CEA-Léti, l'un des principaux centres européens de recherche appliquée en électronique, environ 35 publications scientifiques présentées à des conférences internationales et déposé près d'une quarantaine de brevets.

"Ce sont entre 100 et 150 personnes de Soitec et du CEA-Léti qui travaillent actuellement sur le développement de nouvelles générations de matériaux pour la fabrication de composants microélectroniques et optoélectroniques", souligne la société.

Les marchés visés par le programme couvrent le développement de nouvelles générations de matériaux avancés pour des applications dans : les marchés de l'automobile (composants de puissance), le grand public (audiovisuel domestique), la communication (composants faible consommation et haute fréquence pour les réseaux et autres applications nomades) et enfin pour des applications dans l'optoélectronique (éclairage et marché des diodes luminescentes).

Soitec explique que les premières étapes du projet portent sur :

• Les matériaux semi-conducteurs III V: Soitec a introduit une activité de recherche sur les matériaux composés sur le site de Bernin. La technologie brevetée de transfert de couches de Soitec (Smart Cut™) est utilisée sur ces matériaux. Cette diversification des activités en dehors du silicium est un nouveau défi pour le groupe sur ce site.

• Le germanium : Soitec a également introduit une activité de recherche sur le germanium à Bernin, matériau clé dans la course à la performance pour les applications informatiques et réseaux sans fils. Le CEA-Léti a développé un composant sur Germanium et démontré un gain en mobilité des électrons.

• L'ingénierie de l'isolant : Soitec a démontré la faisabilité de substrat à isolant multicouches ; ces empilements de nouveaux diélectriques répondront mieux à la minimisation de l'échauffement des composants pour les circuits de puissance.

• La validation des innovations sur des composants électroniques par le Léti : ces nouveaux substrats sont une opportunité d'architectures plus avancées de composants et de synergie avec ses partenaires de Minalogic et internationaux.

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